全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片

三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。

注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm 之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。

三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30％的功耗，因此又称为绿色内存(Green DRAM)，另外相比40nm级别工艺量产效率可提高60％，相比50-60nm级别工艺更是可达两倍之多。

三星将在今年下半年量产这种芯片，并以此各种低功耗内存条，比如4GB DDR3 SO-DIMM，用在笔记本内的时候功耗只有3W，仅占笔记本总功耗的3％。

当然在台式机、服务器、上网本和各种移动设备里，这种新工艺内存也都有广泛的用途。